9月3日，由开放数据中央委员会 (ODCC) 主理的"2024开放数据中央峰会"于北京国际集会中央隆重召开。三星电子副总裁兼闪存运用工程师团队卖力人，沈昊俊于会上发表了"跨入将来：人工智能时代的存储立异"的主题演讲。他深切浅出的先容了鞭策社会进入天生式AI新时代的三年夜因素，即计较能力的奔腾，年夜语言模子（LLM）的精进，以和各类AI办事的鼓起，并进一步切磋了天生式AI时代"更优AI"的技能趋向，指出新时代面对的挑战不单单是存储器年夜容量的需求，跟着迈向更周详的AI模子，存储器的高机能读写能力也是当下面对的巨年夜挑战。

三星电子副总裁，闪存运用工程师团队卖力人沈昊俊（Thomas Shim）发表主题演讲

演讲中，沈昊俊先容了为解决这些问题三星半导体提出的存储解决方案及行业主流运用趋向。为降服机能及容量的制约，采用并行搭载HBM及DRAM的方式正于逐渐成为行业趋向。此中HBM于机能方面饰演主要脚色，DRAM则日趋冲破内存容量限定，满意市场对于年夜容量的需求。

关在今朝行业主流运用的年夜容量存储产物，沈昊俊别离先容了三星半导体今朝单芯片容量最年夜32Gb的DDR5内存产物，不久将可供给128GB/256GB等年夜容量封装规格；以和拥有今朝三星最高随机写入机能400K IOPS的高机能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。

关在机能冲破方面，三星的重要代表产物有经由过程12层单die24Gb容量重叠技能实现的36GB容量的HBM3E Shine Bolt，每一引脚速率可达三星最快8Gbps，峰值速度高达1TB/s；在此同时三星于存内处置惩罚技能上取患上显著进展，LPDDR5X-PIM产物可以或许将体系能效提高70%摆布，同时可以将机能晋升至多8倍。

末了，三星从总成本优化（TCO）层面申明了CXL存储产物可于任何xPU情况中扩大容量及机能，以和无需兼容性验证便可引入及运行的上风，并进一步夸大将来年夜容量趋向中，基在QLC NAND技能的SSD产物BM1743将来可提供的年夜容量规格规划。

三星于2024 ODCC上荣获产物奖项

三星于本次2024开放数据中央峰会上得到了"优异互助伙伴"的称呼，与此同时，沈昊俊也夸大了于技能挑战眼前合作无懈的主要性。三星将一如既往地与互助伙伴及客户联袂互助，配合降服内存技能的挑战，将不确定性转化为机缘，联袂创始AI时代的将来。

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