韩国8英寸纯晶圆代工场SK启方半导体(SK keyfoundry)今天公布推出其第四代0.18微米BCD工艺，机能较以前的第三代晋升了约20%。借此，SK启方半导体为提高挪动及汽车功率半导体机能提供相识决方案。

SK启方半导体的第四代0.18微米BCD工艺提供高达40V的功率器件，并撑持多种功率器件栅极输入电压，如3.3V、5V及18V，可运用在多种场景，例如办事器及条记本电脑PMIC、DDR5内存PMIC、挪动充电器、音频放年夜器及汽车栅极驱动器等，以满意客户需求。此外还有提供MTP（可屡次编程）/OTP（一次性编程）存储器、SRAM存储器等选项，帮忙客户更好地举行产物设计。

SK启方半导体的第四代0.18微米BCD工艺切合汽车质量尺度AEC-Q100 Grade 1，确保集成电路(IC)能于125℃的高温情况下不变运行，合用在汽车功率半导体，厚IMD（金属间介质）选项使患上汽车产物设计可以或许蒙受跨越15,000V的电压。

依附从第三代0.18微米BCD工艺中积攒的量产经验以和客户的高度信托，该公司指望第四代0.18微米BCD工艺可以或许帮忙延伸挪动装备的电池寿命、经由过程削减发烧实现不变的机能，并经由过程提高汽车用功率半导体的能源效率来改善总体机能。

SK启方半导体首席履行官Derek D. Lee暗示："咱们很兴奋可以或许为客户提供机能更好的全新第四代0.18微米BCD工艺。SK启方半导体将继承增强于功率半导体工艺技能方面的竞争力，并与客户合作无懈，将营业拓展到将来有望实现高速增加的各类运用范畴，例如AI办事器PMIC、DDR5 PMIC、汽车栅极驱动IC等。"